中新社成都6月7日电 (记者 贺劭清)记者7日从电子科技大学获悉，中国科研人员依据新颖的二维滑移铁电机制，提出一种性能优异的抗疲劳铁电体系，为解决类脑智能芯片的理想材料——铁电材料领域长期存在的疲劳问题提供了一种全新途径，有望推动铁电存储及类脑智能器件方面应用。
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中新社成都6月7日电 (记者 贺劭清)记者7日从电子科技大学获悉，中国科研人员依据新颖的二维滑移铁电机制，提出一种性能优异的抗疲劳铁电体系，为解决类脑智能芯片的理想材料——铁电材料领域长期存在的疲劳问题提供了一种全新途径，有望推动铁电存储及类脑智能器件方面应用。
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